| 型号 | 特点 | 频率范围 | 频率稳定度 PPM |
扩频 % |
温度范围 (°C) |
电压 (V) |
输出逻 辑电平 |
封装 | 规格 |
| SiT9001 | 高性能 降低EMI | 1～220MHz | ±50 ±100 | 中心展频: ±0.25, ±0.5, ±1 向下展频: -0.5, -1, -2 | -20～+70 -40～+85 | 1.8，2.5，3.3 | LVCMOS LVTTL | 7050 5032 3225 2520 |  |
| SiT9002 | 差分输出 降低EMI | 1～220MHz | ±25 ±50 | 中心展频: ±0.25, ±0.5, ±1.0, ±2.0 向下展频: -0.5, -1.0, -2.0, -4.0 | -20～+70 -40～+85 | 1.8，2.5，3.3 | LVPECL HCSL LVDS CML | 7050 5032 | |
| SiT9003 | 低功耗 降低EMI | 1～110MHz | ±50 ±100 | 中心展频: ±0.50, ±0.25 向下展频: -1.0, -0.5 | -20～+70 -40～+85 | 1.8，2.5，2.8，3.3 | LVCMOS LVTTL | 7050 5032 3225 2520 | |
